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Micronの34nmプロセスフラッシュメモリはMLCが3万書換え、SLCが30万書換え可能な高寿命タイプ

Micron、書き込み耐性を向上させた企業向けNAND
34nmプロセスを採用したNAND。このNANDを使ったMLCは従来品の6倍にあたる3万書き込みサイクルを実現し、高い信頼性と2倍の容量の両立を可能にした。同プロセスを使ったSLCも用意しており、こちらは従来のSLCの3倍にあたる30万書き込みサイクルを実現している。

3bit/セルで容量を稼ぐ方向にのみNANDフラッシュメモリは進化していくのかと思っていたら、ここにきてMicronが書換え寿命を考慮したチップを開発してきました。

フラッシュメモリの製造プロセスが34nmプロセスになった事で、寿命が短くなるという話を良く聞きましたが、このMicronが開発したチップの場合は、従来の50nmプロセスのフラッシュメモリよりも長寿命となりそうです。

SSDなど書換えが多い用途向けには、こういったチップを採用して欲しいと思いますね。
逆に、携帯音楽プレイヤー(DAP)などは書換えを頻繁に行わないので、大容量低価格なフラッシュメモリで十分なのでうまく棲み分けしてくれればいい感じでしょうか。

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